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                        Nicomp380OL 監測粒子各儀器對比

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                        概述
                        實驗/設備條件
                        樣品提取
                        實驗/操作方法
                        實驗結果/結論
                        儀器/耗材清單

                        化學機械拋光(CMP)漿體健康是保持CMP 工藝一致性的重要因素[1-3]。泥漿本身的穩定性、外部污染或工藝條件(如壓差、流速、停滯區域和暴露于空氣)可能會影響泥漿的健康狀況。可以測量許多特性來評估泥漿的健康狀況,包括比重、pH 值、固體質量百分比、離子污染水平、zeta 電位和粒度分布(PSD)。這項研究集中于這些特性之一:PSD。市面上有幾種監測泥漿PSDs 的儀器,它們具有多種檢測和分析方法。在這項研究中,評估了六種用于監測泥漿健康的儀器。比較了兩種分析儀對1μm SiO 存在的檢測能力2 顆粒經過不同濃度的這些顆粒被注入到常用的二氧化硅、氧化物CMP 漿料中。該儀器的擾動檢測限從小于0.1 mg/lit 到超過1,000 mg/lit,超過四個數量級。正如預期的那樣,用于檢測大粒子存在的光學粒子計數器(OPCs)比用于測量整個PSD 的儀器更敏感。


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